Memoria RAM SESAME CL11 1.35V 2RX8 8GB DDR3 1600

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La memoria RAM SESAME CL11 1.35V 2RX8 8GB DDR3 1600 è un modulo ad alte prestazioni progettato per aumentare la velocità e l’efficienza del sistema. Con una capacità di 8GB, consente un multitasking fluido e un trasferimento dati più veloce. Operando a 1.35V, offre una migliore efficienza energetica. La sua tecnologia DDR3 e la velocità di 1600MHz offrono prestazioni rapide e affidabili per le attività più impegnative. Testata per qualità e compatibilità, garantisce stabilità e durata. Aggiorna il tuo sistema con questa memoria RAM per prestazioni migliorate e un funzionamento senza interruzioni.

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La memoria RAM SESAME CL11 1.35V 2RX8 8GB DDR3 1600 è un modulo di memoria per computer ad alte prestazioni progettato per migliorare la velocità e l’efficienza complessive del tuo sistema. Con una capacità di 8 GB, offre ampio spazio per l’archiviazione e l’accesso ai dati, consentendo un multitasking fluido e velocità di trasferimento dati più elevate.

Funzionando a una tensione di 1,35 V, questo modulo di memoria offre una migliore efficienza energetica, riducendo il consumo di energia senza compromettere le prestazioni. La configurazione 2RX8 garantisce un trasferimento dati efficiente, ottimizzando la reattività complessiva del computer.

Costruita con tecnologia DDR3, questa memoria RAM è compatibile con un’ampia gamma di sistemi, rendendola una scelta versatile per l’aggiornamento del tuo desktop o laptop. Con una velocità di 1600 MHz, offre prestazioni rapide e affidabili, consentendo l’esecuzione fluida di applicazioni, giochi e attività multimediali impegnative.

Inoltre, il modulo di memoria RAM SESAME CL11 è sottoposto a rigorosi test e misure di controllo qualità per garantirne l’affidabilità e la durata. È progettato per soddisfare rigorosi standard di settore, garantendo stabilità e compatibilità ottimali con diversi ambienti di elaborazione.

Aggiorna la memoria del tuo sistema con la memoria RAM SESAME CL11 1.35V 2RX8 8GB DDR3 1600 per godere di prestazioni migliorate, capacità multitasking migliorate e un funzionamento complessivo più fluido senza compromettere qualità o affidabilità.